產(chǎn)品[

抗干擾開發(fā)系統(tǒng)

]資料
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產(chǎn)品名稱: 抗干擾開發(fā)系統(tǒng)
產(chǎn)品型號: E1
產(chǎn)品展商: 艾仕歐
產(chǎn)品文檔: 無相關(guān)文檔


簡單介紹
大部分電子產(chǎn)品需要通過電快速瞬變脈沖群(Burst)和靜電放電(ESD)等項目的標準測試。測試時,把干擾脈沖從設(shè)備外部耦合到內(nèi)部,同時監(jiān)視設(shè)備的工作狀態(tài)。如果設(shè)備沒有通過這些標準的測試,測試本身幾乎不能提供任何如何解決問題的信息。? E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)能采用不同的方式,向電子模塊直接注入干擾電流、電場和磁場,在設(shè)備內(nèi)部仿真干擾的過程,以定位電路板上電磁薄弱點,理解耦合機理,完成優(yōu)化后的設(shè)計修改。 E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)不能按照某個標準進行兼容性測試。所以建議先對被測物進行標準的抗干擾測試(必要的話,在EMC實驗室進行測試),然后對可能的故障原因進行分析,再利用E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)來找出更多的故障原因,并利用E1在產(chǎn)品開發(fā)場地進行設(shè)計修改的評估。

抗干擾開發(fā)系統(tǒng)

的詳細介紹

       E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)包含SGZ21突發(fā)脈沖發(fā)生器,SGZ21能產(chǎn)生連續(xù)的類似于Burst或者ESD的干擾脈沖,脈沖的上升沿時間為2ns,下降沿時間為約10ns。這些脈沖包含的能量比2/50ns的Burst脈沖【根據(jù)EN 61000-4-4】或ESD【根據(jù)EN 61000-4-2】脈沖小,因此能在不損壞被測設(shè)備的情況下,把干擾直接耦合到電子模塊內(nèi)。由于SGZ21產(chǎn)生的脈沖,上升沿時間短,峰值電壓也比較低,所以這些干擾對被測設(shè)備的影響,是和EN 61000-4-4的Burst脈沖的影響類似的。

      E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)中SGZ21脈沖的幅度是連續(xù)變化的。峰值在0-1500V之間,是按統(tǒng)計平均分布的。利用這種方法,配合傳感器能對模塊進行特別快速的抗干擾性能評估(脈沖率測試法-見2.5節(jié)),為此,發(fā)生器內(nèi)置了一個帶光纖(2.2mm塑料光纖)輸入的計數(shù)器。 
同時SGZ21采用電氣隔離(無PE參考)的對稱輸出。干擾脈沖能被容性耦合,極性可變。這樣,就能采用各種耦合方式,例如: 
-把發(fā)生器的輸出直接連接到被測物的GND系統(tǒng)上,把干擾電流直接注入到GND系統(tǒng)。 -把干擾電流注入到GND,然后從VCC返回。 
-干擾電流可以注入到變壓器、分配器或者光耦的初級,從次級返回(在工作電壓大于42V時,對SGZ21要有相應(yīng)的保護) 
連接到發(fā)生器的場源,可以很好的定位被測設(shè)備的臨界結(jié)構(gòu)。 

       E1抗干擾開發(fā)系統(tǒng)利用場源,把burst信號轉(zhuǎn)換為很小區(qū)域的磁場或者電場,可以注入到被測設(shè)備內(nèi)部很小的區(qū)域內(nèi),或者單根電纜上。從而準確定位被測設(shè)備內(nèi)部電磁敏感點的位置。 

      不同的電路結(jié)構(gòu),可能會對磁場敏感,也可能會對電場敏感。E1中的場源,有的是產(chǎn)生磁場的,有的是產(chǎn)生電場的,這樣可以確認EUT是對哪種類型的干擾場敏感。場源和SGZ21的連接方法見圖5。除了場源能產(chǎn)生干擾場之外,連接電纜也會把干擾耦合到EUT并影響測量結(jié)果。所以,電纜應(yīng)該盡可能放置得離EUT遠一些。


 

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